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Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

（1）下列说法正确的是__________（填序号）

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B．第一电离能 As>Ga

C．电负性 As>Ga

D．原子半径 As>Ga（2）砷化镓可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；

（3）AsH₃空间形状为___________；已知（CH₃）₃Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；

Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

（4）请解释金属铜能导电的原因                     ， Cu²⁺的核外电子排布式为__________________________。

（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH₃）₄]SO₄晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有        和        。

电场中某点有一个电量Q=20μF的点电荷，需用F=0.01N的力才能阻止它的运动，求该点的电场强度。