问题 填空题

(15分)

Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题:

(1)下列说法正确的是__________(填序号)

A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B.第一电离能 As>Ga

C.电负性 As>Ga

D.原子半径 As>Ga(2)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的方程式为__________;

(3)AsH3空间形状为___________;已知(CH33Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式为____________;

Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银,居金属中的第二位,大量用于电气工业。

(4)请解释金属铜能导电的原因                     , Cu2+的核外电子排布式为__________________________。

(5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH34]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有                

答案

(15分)

(1)BC (2分)

(2)(CH33Ga + AsH3 GaAs + 3CH4 (3分)

(3)三角锥. (2分)  sp(2分)

(4)铜是金属晶体,由金属阳离子和自由电子构成,自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动(2分)    [Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d 9 (2分)

(5)离子键,(1分)  配位键 (1分)

单项选择题
单项选择题 A1/A2型题