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问题 单项选择题

疾徐补泻手法中的泻法是（）。

A.疾速刺入，多捻转，徐徐出针

B.疾速刺入，多捻转，快出针

C.疾速刺入，少捻转，快出针

D.徐徐刺入，多捻转，徐徐出针

E.疾速刺入，少捻转，徐徐出针

答案

参考答案：A

填空题

（12分） “物质结构与性质”

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为              。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为           。在四大晶体类型中，GaN属于            晶体。

（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有              的原子或离子

（3）CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是         。

②SO2分子的空间构型为          。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为          。

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为         。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是                            。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有              。   

a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为              。
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