如图所示，竖直放置的平行金属导轨EF和GH两部分导轨间距为2L，IJ和MN两部分导轨间距为L。整个装置处在水平向里的匀强磁场中，金属杆ab和cd的质量均为m，可在导轨上无摩擦滑动，且与导轨接触良好。现对金属杆ab施加一个竖直向上的作用力F,使其匀速向上运动，此时cd处于静止状态，则力F的大小为

A．mg

B．2mg

C．3mg

D．4mg

有以下程序：
struct s
int x,y;) data[2]=10,100,20,200;
main()
struct s *p=data;
printf(%d\n",++p-＞x));

程序运行后的输出结果是()。

A．10

B．11

C．20

D．21