晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A.n型掺杂区

B.P型掺杂区

C.栅氧化层

D.场氧化层