在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成_爱下问搜题

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问题单项选择题

在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A.栅氧化层

B.沟槽

C.势垒

D.场氧化层

答案

参考答案：D

单项选择题

搞好媒介讯息设计，使之为受众接受的一个关键是研究（）

A.受众成员

B.受众动机

C.受众需要

D.受众特性

单项选择题

电流可反向的两象限直流PWM调速系统稳态工作时，当输出电压的平均值小于电机反电势时，电机工作在（）象限。

A.1

B.2

C.3

D.4