问题
单项选择题
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层
答案
参考答案：D
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在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A.栅氧化层
B.沟槽
C.势垒
D.场氧化层
参考答案：D