下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

A.ARC可以是硅的氮化物

B.可用干法刻蚀除去

C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成

D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层

E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成