如图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图乙，PQ始终静止，在0-ts内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是（　　）

A．f一直增大

B．f一直减小

C．f先减小后增大

D．f先增大后减小

简述优秀散打运动员智力因素上的模式特征。