搜题请搜索小程序“爱下问搜题”
问题 单项选择题

由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。

A.对探伤有利

B.对探伤不利

C.半扩散角增大

D.超声波能量发散

答案

参考答案：B

填空题
计算
2
3
x+
x
3
=______．
查看答案
填空题

服装设计图包括：设计效果图、（）和纸样结构图等三大类。
查看答案