问题 多项选择题

下列因素中,能提高一次脱硅速度和深度的是()。

A、提高脱硅温度

B、适宜降低αK值

C、添加晶种

D、采用高压脱硅

答案

参考答案:A, B, C, D

单项选择题 A1/A2型题
单项选择题