参考答案：

第一步：气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。

第二步：旋转涂胶，将硅片被固定在载片台上，一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层

第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂

第四步：对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上

第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光后烘培

第六步：显影，在硅片表面光刻胶中产生图形

第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性

第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求。