参考答案：

迪尔-格罗夫氧化模型可以很好地预测氧化层厚度，热氧化过程主要分为以下三个过程：（1）氧化剂从气体内部以扩散形式穿过滞留层运动到气体-SiO₂界面，其流密度用J1表示。（2）氧化剂以扩散方式穿过SiO₂层，到达SiO₂-Si界面，其流密度用J₂表示。（3）氧化剂在Si表面与Si反应生成SiO₂，流密度用J₃表示。

当氧化剂在SiO₂中的扩散系数D_SiO2很小时（D<2层运动到SiO₂-Si界面处的数量极少，与Si立即发生反应生SiO₂，在界面处没有氧化剂的堆积，浓度趋于零。因扩散速度太慢，而大量氧化剂堆积在SiO₂的表面处，浓度趋向于同气相平衡时的浓度C。此时，SiO₂的生长速率主要由氧化剂在SiO₂中的扩散速度决定，称为扩散控制。如果扩散系数D_SiO2很大，Ci=C0=HPg/（1+ks/h）。此时，进入SiO₂中的氧化剂快速扩散到SiO₂-Si界面处，在界面处氧化剂与Si反应生成SiO₂的速率很慢，造成氧化剂在界面处堆积，趋向于SiO₂表面处的浓度。此时，SiO₂生长速率由Si表面的化学反应速率控制，称为反应控制。