问题 多项选择题

硅外延生长工艺包括()。

A.衬底制备

B.原位HCl腐蚀

C.生长温度,生长压力,生长速度

D.尾气的处理

答案

参考答案:A, B, C, D

问答题 简答题
单项选择题