TEG装置腐蚀主要是（）A、由于有机酸及溶解的H2S等造成的 B、由_爱下问搜题

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问题单项选择题

TEG装置腐蚀主要是（）

A、由于有机酸及溶解的H₂S等造成的

B、由于溶解的CO₂造成的

C、由于溶液PH值过高造成的

D、由于溶液发泡造成的

答案

参考答案：A

选择题

做匀加速直线运动的物体，先后经过A、B两点时的速度分别为v和7v，经历的时间为t，则（　　）

A.前半程速度增加3.5v

B．前时间内通过的位移为11v

C．后时间内通过的位移为11v

D．后半程速度增加3v

单项选择题

结核分支杆菌常用的培养基是（）

A.沙保培养基

B.改良罗氏培养基

C.庖肉培养基

D.巧克力培养基

E.亚碲酸盐培养基