TEG装置腐蚀主要是()
A、由于有机酸及溶解的H2S等造成的
B、由于溶解的CO2造成的
C、由于溶液PH值过高造成的
D、由于溶液发泡造成的
参考答案:A
做匀加速直线运动的物体,先后经过A、B两点时的速度分别为v和7v,经历的时间为t,则( )
A.前半程速度增加3.5v
B.前 时间内通过的位移为11v
C.后 时间内通过的位移为11v
D.后半程速度增加3v
结核分支杆菌常用的培养基是()
A.沙保培养基
B.改良罗氏培养基
C.庖肉培养基
D.巧克力培养基
E.亚碲酸盐培养基