问题 单项选择题

有关预饱和技术的描述不正确的是()

A.可用于各种脉冲序列

B.最多可放六个饱和带

C.饱和带越多抑制伪影效果越差

D.饱和带越多扫描时间越长

E.饱和带越窄越靠近感兴趣区抑制效果越好

答案

参考答案:C

单项选择题
选择题