问题
多项选择题
有关预饱和技术的描述正确的是()
A.可用于各种脉冲序列
B.最多可放六个饱和带
C.饱和带越多抑制伪影效果越差
D.饱和带越多扫描时间越短
E.饱和带越窄越靠近感兴趣区抑制效果越差
答案
参考答案:A, B
有关预饱和技术的描述正确的是()
A.可用于各种脉冲序列
B.最多可放六个饱和带
C.饱和带越多抑制伪影效果越差
D.饱和带越多扫描时间越短
E.饱和带越窄越靠近感兴趣区抑制效果越差
参考答案:A, B