质子自旋所产生微小磁场的强度的表述，正确的是（）
A.角速度
B.自旋加速度
C.角动量
D.线速度
E.旋磁比
参考答案：C
采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
A、自激法
B、末端加压法
C、末端屏蔽法
阴影效应（Shadow Effect）
