如图，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应．其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场E_H，同时产生霍尔电势差U_H．当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，E_H和U_H达到稳定值，U_H的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式U_N=R_H

（1）若半导体材料是自由电子导电的，请判断图1中______端（填c或f）的电势高；

（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的自由电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数R_H的表达式______．（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率．

下列程序的输出结果是_______。
#define A 100
main()
int i=0，sum=0；
do if(i==(i/2)*2)continue；
sum+=i；
while(++i＜

A．；
printf("%d\n",sum)；
A) 2500

B．2050

C．4

D．0