用釉粉上釉的烧结温度是（） |自身釉烧结的温度是（） |金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是（） |除气、氧化的目的是（）

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面