休克早期组织微循环灌流的特点是（）

A.多灌少流，灌多于流

B.少灌少流，灌少于流

C.少灌多流，灌多于流

D.少灌少流，灌多于流

E.不灌不流

如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。

A、变大，变大

B、变小，变小

C、变小，变大

D、变大，变小