参考答案：

特点：能量低：＜50ev；反映试样表面10nm层内的状态；成像分辨率高。

二次电子发射系数δ与入射束的能量有关，因此二次电子成像时要选择适当的加速电压。二次电子发射系数和试样表面倾角θ有关，它们之间存在如下关系：

δ（θ）=δ0/cosθ；二次电子在试样上方的角分布也服从余弦分布。