晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20µm厚的表面层。

以下程序的输出结果是
main ( )
double d=3.2；int x，y；
x=1.2；y=(x+3.8)/5.0；
printf("%d\n"，d*y)；

A．1.0

B．0.96

C．0

D．1