参考答案：

(1)当偏压VG为正值时，半导体表面处于堆积状态，C/C₀=1，即C=C₀。这时MIS的电容不随电压V_G变化，对应图AB段；

(2)当偏压V_G绝对值较小时，C/C₀值随着|V_s|减小而减小，对应图BC段；

(3)当偏压V_G=0时，对于理想MIS结构，表面势V_s=0，对应图中C点；(C_FB/C₀) ；

(4)当偏压V_G为负但不足以使半导体表面反型时，空间电荷区处于耗尽状态，表面空间电荷区厚度X_d随着V_G减小，而增大，X_d越大，则C_s越小，C/C₀也随之越小，对应图CD段；

(5)当偏压V_G继续减小到使表面势V_s＞2V_B时，这时耗尽层宽度保持在极大值，表面处出现强反型层，

(6)信号频率较低时，C/C₀=1，MIS的电容又上升到等于绝缘层的电容，对应图EF段；

(7)信号频率较高时，反型层中的空穴产生与复合将跟不上高频信号变化，即反型层中空穴的数量不能随高频信号而变。因此，在高频信号时，反型层中电子对电容没有贡献，这时空间电荷区的电容仍由耗尽层的电荷变化决定。由于强反型出现时耗尽层宽度达到最大值，不随V_G变化，C/C₀也将保持最小值，对应图GH段。