[化学——选修3：物质结构与性质]

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）写出基态As原子的核外电子排布式（）。

（2）根据元素周期律，原子半径Ga（）As，第一电离能Ga（）As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl₃分子的立体构型为（），其中As的杂化轨道类型为（）。

（4）GaF₃的熔点高于1000℃，GaCl₃的熔点为77.9℃，其原因是（）。

（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg•cm^-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为（），Ga与As以（）键键合。Ga和As的摩尔质量分别为M_Gag•mol^-1和M_Asg•mol^-1，原子半径分别为r_Gapm和r_Aspm，阿伏伽德罗常数值为N_A，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为（）。

我国承认并以法律形式加以保护的主要知识产权有( )。

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B．著作权

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