问题
问答题
Si加热到2000K温度蒸发，然后Si原子在300K的基片上凝聚。试问：
①Si蒸发和凝聚时的蒸汽压分别为多少Pa
②欲实现Si在上述条件下蒸发和凝聚，真空罩中的真空应在什么范围内，并说明其原因。(已知Si的蒸汽压(p)和温度(t)关系中的系数：
A=13，B=2×104，
式中，P的单位为μmHg，1μmHg=0.133Pa，T的单位为K
答案
参考答案：①
[*]
将数据代入得
[*]
②
[*]
蒸发的条件为△G＜0，即[*]，即p＜pe蒸发
凝固的条件为△G＞0，即[*]，即p＞pe凝固
所以真空罩中的压强应该满足：0＜p＜13Pa