DRAM内存是( )。
A.动态只读存储器 B.静态只读存储器C.动态随机内存 D.静态随机内存
参考答案:C
如图所示,水平导轨间距为L=0.5m,导轨电阻忽略不计;导体棒ab的质量m=l kg,电阻Ro=0.9Ω,与导轨接触良好;电源电动势E=10V,内阻r=0.1Ω,电阻R=4Ω;外加匀强磁场的磁感应强度B=5T,方向垂直于ab,与导轨平面成α=530角;ab与导轨间动摩擦因数为μ=0.5(设最大静摩擦力等于滑动摩擦力),定滑轮摩擦不计,线对ab的拉力为水平方向,重力加速度g=10m/S2,ab处于静止状态.已知sin53°=0.8,cos53°=0.6.求:
(1)通过ab的电流大小和方向.
(2)ab受到的安培力大小.
(3)重物重力G的取值范围.
二氧化碳会使镉镍电池的负极板有效物质表面上形成(),使负极板容量减少。
A、碳酸锂;
B、碳酸钾;
C、碳酸镉;
D、碳酸镍。