后张法的优点为构件配筋简单,不需锚具,省去预留孔道、拼装、焊接、灌浆等工序,一次可制成多个构件,生产效率高,可实行工厂化、机械化,便于流水作业,可制成各种形状构件等。
参考答案:错
[化学——选修3:物质结构与性质]
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式()。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga()As,第一电离能Ga()As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为(),其中As的杂化轨道类型为()。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是()。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg•cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为(),Ga与As以()键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGag•mol-1和MAsg•mol-1,原子半径分别为rGapm和rAspm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为()。
现场带电安放绝缘挡板及绝缘罩时,可不戴绝缘手套。()