参考答案：

减少沟道效应的措施：

（1）对大的离子，沿沟道轴向（110）偏离7－10o；

（2）用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层

（3）增加注入剂量；

（4）表面用SiO2层掩膜。