参考答案：

（1）常压化学气相淀积，这种工艺所需的系统简单，反应速度快，并特别适于介质淀积，但是它的缺点是均匀性较差，气体消耗量大，且台阶覆盖能力差，所以，一般用在厚的介质淀积；

（2）低压化学气相淀积，LPCVD系统成本低、产量高、淀积的薄膜性能好，常用于多晶硅和氮化硅膜的淀积；

（3）等离子体增强型淀积系统，PECVD工艺温度低、对深宽比高的沟槽填充好、制备的薄膜与硅片之间粘附性好、淀积速率高、膜的致密性高，比较适合淀积热稳定性差的材料。