参考答案：

CMP是利用wafer和抛光头之间的运动来平坦化wafer表面的，通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得平坦的wafer表面。

CMP的抛光速率受施加的压力、wafer与抛光垫之间的相对速度、氧化硅的硬度、磨料以及抛光垫等参数的影响。