问题 问答题 简答题

基于物理的深亚微米MOSFET模型考虑了哪些内容?

答案

参考答案:

内容:

(1)阈值电压下降;

(2)非均匀掺杂效应;

(3)垂直电场引起的迁移率下降;

(4)载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应;

(5)沟道长度调制;

(6)漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静电反馈效应;

(7)衬底电流引起的体效应;

(8)亚阈值导通效应;

(9)寄生电阻效应。

选择题
单项选择题