问题
问答题 简答题
基于物理的深亚微米MOSFET模型考虑了哪些内容?
答案
参考答案:
内容:
(1)阈值电压下降;
(2)非均匀掺杂效应;
(3)垂直电场引起的迁移率下降;
(4)载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应;
(5)沟道长度调制;
(6)漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静电反馈效应;
(7)衬底电流引起的体效应;
(8)亚阈值导通效应;
(9)寄生电阻效应。
基于物理的深亚微米MOSFET模型考虑了哪些内容?
参考答案:
内容:
(1)阈值电压下降;
(2)非均匀掺杂效应;
(3)垂直电场引起的迁移率下降;
(4)载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应;
(5)沟道长度调制;
(6)漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静电反馈效应;
(7)衬底电流引起的体效应;
(8)亚阈值导通效应;
(9)寄生电阻效应。