问题
问答题 简答题
以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？
答案
参考答案：
由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基区的厚度太大，使得电流增益变小
集成电路的串联电阻很大，影响器件性能
NPN管和CMOS管共衬底，使得NPN管只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用
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以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？
参考答案：
由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基区的厚度太大，使得电流增益变小
集成电路的串联电阻很大，影响器件性能
NPN管和CMOS管共衬底，使得NPN管只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用
，3月底的示数为
，则他家3月份消耗的电能为 kW•h．