问题
问答题 简答题
由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
答案
参考答案：
在300K和77K温度下，N沟道HEMT的跨导分别达到400mS/mm和800mS/mm；P沟道HEMT的跨导达到170mS/mm或300mS/mm
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由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？
参考答案：
在300K和77K温度下，N沟道HEMT的跨导分别达到400mS/mm和800mS/mm；P沟道HEMT的跨导达到170mS/mm或300mS/mm