问题
问答题 简答题
Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？
答案
参考答案：
截止频率大于100GHz的SiGeHBT已成功实现；已经开发出包含fmax=60GHz的SiGeHBT和0.25µm的CMOS器件的SiGeBiCMOS。
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Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？
参考答案：
截止频率大于100GHz的SiGeHBT已成功实现；已经开发出包含fmax=60GHz的SiGeHBT和0.25µm的CMOS器件的SiGeBiCMOS。