问题
问答题 简答题
MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
答案
参考答案：
源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率
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MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
参考答案：
源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率