参考答案：

离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格。如果注入的剂量很大，被注入层将变成非晶。另外，被注入离子基本不占据硅的晶格点，而是停留在晶格间隙位置。这些间隙杂质只有经过高温退火过程才能被激活。退火能够加热被注入硅片，修复晶格缺陷，还能使杂质原子移动到晶格点，将其激活。高温退火和快速热处理工艺，快速热处理更优越。因为：高温炉退火在800-1000度退火，导致杂质的再扩散；快速热退火只是1000℃下短暂时间退火，减小了杂质的再扩散和瞬时增强扩散。