问题
问答题 简答题
在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
答案
参考答案：
抑制CMOS电路中闩锁效应（Latchup）的方法有：
①SOI衬底技术；
②大剂量离子注入形成深埋层；
③用离子注入产生倒掺杂阱；
④硅片表面外延层。
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在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
参考答案：
抑制CMOS电路中闩锁效应（Latchup）的方法有：
①SOI衬底技术；
②大剂量离子注入形成深埋层；
③用离子注入产生倒掺杂阱；
④硅片表面外延层。