参考答案：

随着特征尺寸的缩小，栅氧化层越来越薄，栅极隧穿漏电流指数性增加，从而导致功耗增加。高k介质用在替代栅氧化层，提高栅氧厚度，抑制栅极隧穿漏电流。

低k材料用于层间介质，因为低k介质减小电容，从而减小RC信号延迟，提高器件工作频率。