问题
问答题 简答题
为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢-氮混合气体退火?
答案
参考答案:
距Si/SiO2界面2nm以内的Si的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区;对于器件的正常工作,界面处的电荷堆积是不受欢迎的;通过在氢气或氢一氮混合气中低温450℃退火,可以减少这种不可接受的电荷。
为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢-氮混合气体退火?
参考答案:
距Si/SiO2界面2nm以内的Si的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区;对于器件的正常工作,界面处的电荷堆积是不受欢迎的;通过在氢气或氢一氮混合气中低温450℃退火,可以减少这种不可接受的电荷。