问题
问答题 简答题
什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
答案
参考答案：
沟道效应：单晶硅原子为长程有序排列，当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应，使预期的设计范围（如掺杂深度和浓度）大大扩展。
方法：
1、倾斜硅片；
2、掩蔽氧化层；
3、预非晶化。
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什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
参考答案：
沟道效应：单晶硅原子为长程有序排列，当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应，使预期的设计范围（如掺杂深度和浓度）大大扩展。
方法：
1、倾斜硅片；
2、掩蔽氧化层；
3、预非晶化。