问题
问答题 简答题
在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生?
答案
参考答案:
如果没有LDD形成,在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场,电子在从源区向漏区移动的过程中,将受此电场加速成高能电子,它碰撞产生电子空穴对,热电子从电场获得能量,造成电性能上的问题,如被栅氧化层陷阱俘获,影响器件阈值电压控制。LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场,把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离,从而防止热载流子产生。