参考答案：

目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺的原因是：

①采用自对准方式，减小了晶体管的尺寸和栅电极与源、漏电极间的交叠电容，从而提高器件的集成度与工作速度。

②多晶硅可以高温氧化，对多层布线非常有利。

③阈值电压低（取决于硅与二氧化硅的功函数差）。

④有利于采用等比例缩小法则。

⑤耐击穿时间长。