为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择_爱下问搜题

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问题单项选择题

为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）

A、【100】

B、【111】

C、【110】

D、【111】或【110】

答案

参考答案：A

单项选择题 A1型题

顾步汤适用的脱疽证候是（）

A．寒湿阻络

B．血脉瘀阻

C．湿热毒盛

D．热毒伤阴

E．气阴两虚

选择题

2002年诺贝尔物理学奖中的一项，是奖励美国科学家贾科尼和日本科学家小柴晶俊发现了宇宙X射线源．X射线是一种高频电磁波，若X射线在真空中的波长为λ，以h表示普朗克常量，c表示真空的光速，以E和m分别表示X射线每个光子的能量和质量，则（　　）

A．E=，m=0

B．E=，m=

C．E=，m=0

D．E=，m=