（15分）如图所示的装置，左半部为速度选择器，右半部为匀强的偏转电场．一束同位素离子流从狭缝S₁射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S₂射出的离子，又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为E的偏转电场，最后打在照相底片D上．已知同位素离子的电荷量为q(q>0)，速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为E₀的匀强电场和磁感应强度大小为B₀的匀强磁场，照相底片D与狭缝S₁、S₂的连线平行且距离为L，忽略重力的影响．

(1)求从狭缝S₂射出的离子速度v₀的大小；

(2)若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度v₀方向飞行的距离为x，求出x与离子质量m之间的关系式(用E₀、B₀、E、q、m、L表示)．

患者女，66岁，双侧游离缺失，基牙，探（-），叩（-），余无异常。医生为其设计近中隙卡，RPI卡环，舌杆连接

铸造支架的后腭杆最厚部位在（）.

A.杆的中间

B.杆的两端

C.杆的一端

D.杆后缘

E.杆的前缘