问题
多项选择题
关于铜屏蔽层电阻比的试验方法说法正确的是()
A.用双臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
B.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比增加时,表明铜屏蔽层的直流电阻增大,铜屏蔽可能被腐蚀
C.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比减少时,表明附件中导体接点的接触电阻有增大的可能
D.用单臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
答案
参考答案:A, B, C
关于铜屏蔽层电阻比的试验方法说法正确的是()
A.用双臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
B.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比增加时,表明铜屏蔽层的直流电阻增大,铜屏蔽可能被腐蚀
C.当铜屏蔽和导体的直流电阻之比与投运前相比减少时,表明附件中导体接点的接触电阻有增大的可能
D.用单臂电桥测量在同温下的铜屏蔽和导体的直流电阻
参考答案:A, B, C