问题
单项选择题
兴奋性突触后电位是()。
A.动作电位
B.静息电位
C.阈电位
D.局部电位
E.负后电位
答案
参考答案:D
解析:EPSP的形成机制是兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体,配体门控通道(化学门控通道)开放,因此后膜对Na+和K+的通透性增大。由于Na+的内流大于K+的外流,故发生净的正离子内流,导致细胞膜的局部去极化。
兴奋性突触后电位是()。
A.动作电位
B.静息电位
C.阈电位
D.局部电位
E.负后电位
参考答案:D
解析:EPSP的形成机制是兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体,配体门控通道(化学门控通道)开放,因此后膜对Na+和K+的通透性增大。由于Na+的内流大于K+的外流,故发生净的正离子内流,导致细胞膜的局部去极化。