问题
单项选择题
下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是
A.信息可读可写,并且读、写速度一样快
B.存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器
C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
答案
参考答案:A
解析:闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,闪存掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器。采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器。闪存是一种半导体存储器,不能实现信息可读可写。删除或重写闪存中的内容是有条件的,而且有次数的限制。闪存与EEPROM不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。