参考答案：C

解析：存储器中FLASH MEMORY(闪存)的改写速度比EPROM(可擦写的只读存储器)的速度快10倍以上，但比RAM(随机存取存储器)的速度要慢得多，而RAM按存储原理的不同，分为SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)，其中，DRAM由于采用等效电容存储信息，需要一个充放电过程，所以速度比SRAM要慢。