下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小

B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响

C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小

D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；

E．除A以外都对