下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）

A.内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大

B.缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比

C.表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降

D.有缺陷的试件，才会产生漏磁场